Galyum (Ga)–Boron (B) eş katkılamanın CdO filmlerinin özellikleri üzerindeki etkisinin incelenmesi

dc.authorid0009-0005-0765-2508
dc.contributor.advisorErdoğan, Erman
dc.contributor.authorKılıç, Elvan
dc.date.accessioned2026-04-16T08:44:41Z
dc.date.issued2026
dc.date.submitted2026-04-07
dc.departmentEnstitüler, Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalı
dc.description.abstractBu çalışmada, saf ve hacim oranları (1.5% wt. ve 1.5% wt.) B ve Ga olan ve ayrı ayrı ve çift katkılı CdO ince filmler, elektrodeposizyon yöntemi kullanılarak ITO altlık üzerine kaplanmış¬tır. ITO üzerine kaplanan saf, B ve Ga çift katkılı CdO filmlerin yapısal, optik ve morfolojik özellikleri incelenmiştir. XRD ölçümleri, B ve Ga çift katkılı CdO filmlerde CdO'nun kristal yapısının değiştiğini ve kristal boyutunun azaldığını ortaya koymuştur. Optik ölçümlerin sonu-cunda, katkı oranı arttıkça optik bant aralığının azaldığı gözlemlenmiştir. Morfolojik ölçümlerin sonucunda, tüm filmlerin yüzeyinin homojen olduğu gözlemlenmiştir. Spektroskopik elipso-metri kullanılarak, kırılma indisi, sönüm katsayısı, dielektrik sabitleri ve kayıp faktörünün B ve Ga çift katkısının konsantrasyonu ile değiştiği belirlenmiştir. Kırılma indisi değerleri 0.8 ile 2 arasında, sönüm katsayısı değerleri ise 0.05 ile 1.2 arasında değişmektedir. Dielektrik sabit de-ğerleri de görünür bölgede önemli farklılıklar göstermektedir.
dc.description.abstractIn this study, CdO thin films with pure and volume ratios of (1.5% wt. and 1.5% wt.) B and Ga separately and dual-doped were coated on ITO substrate using electrodeposition method. Struc-tural, optical and morphological properties of pure, B and Ga dual-doped CdO films coated on ITO were investigated. XRD measurements revealed that the crystal structure of CdO was dis-rupted and the crystal size decreased in the B and Ga dual-doped CdO films. As a result of optical measurements, it was observed that the optical band gap decreased as the doping ratio increased. As a result of morphological measurements, it was observed that the surface of all film was homogeneous. Spectroscopic ellipsometry was used to determine that the refractive index, extinction coefficient, dielectric constants, and dissipation factor were determined to change with the concentration of B and Ga dual doping. Refractive index values ranged from 0.8 to 2 and extinction coefficient values from 0.05 to 1.2. The dielectric constant values also show significant variation in the visible region.
dc.identifier.bseutezid1079102
dc.identifier.citationKılıç, E. (2026). Galyum (Ga)–boron (B) eş katkılamanın CdO filmlerinin özellikleri üzerindeki etkisinin incelenmesi. [Yayımlanmamış yüksek lisans tezi]. Bilecik Şeyh Edebali Üniversitesi.
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11552/9635
dc.institutionauthorKılıç, Elvan
dc.language.isotr
dc.publisherBilecik Şeyh Edebali Üniversitesi, Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
dc.relation.bapinfo:eu-repo/grantAgreement/BAP/BŞEÜ/TEZ-Y-2025-660
dc.relation.publicationcategoryTez
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectCdO ince film
dc.subjectElektrodeposizyon
dc.subjectYapı
dc.subjectOptik Özellikler
dc.subjectKatkılı ve Ortak Katkılı CdO
dc.subjectCdO Thin Film
dc.subjectElectrodeposition
dc.subjectStructure
dc.subjectOptical Properties
dc.subjectDoped and Co-doped CdO
dc.titleGalyum (Ga)–Boron (B) eş katkılamanın CdO filmlerinin özellikleri üzerindeki etkisinin incelenmesi
dc.title.alternativeInvestıgation of the effect of Gallium (Ga)-Boron (B) co-doping on the properties of CdO films
dc.typeMaster Thesis

Dosyalar

Orijinal paket

Listeleniyor 1 - 2 / 2
Yükleniyor...
Küçük Resim
İsim:
1079102_Tez Dosyası.pdf
Boyut:
6.21 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Yükleniyor...
Küçük Resim
İsim:
1079102_Benzerlik Raporu.pdf
Boyut:
14.56 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format

Lisans paketi

Listeleniyor 1 - 1 / 1
Yükleniyor...
Küçük Resim
İsim:
license.txt
Boyut:
1.17 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama: